单项选择题
原始晶粒尺寸越小,二次再结晶速率();气孔尺寸越小,二次再结晶速率()。
A.越大;越大B.越大;越小C.越小;越大D.越小;越小
单项选择题 晶粒长大的平均速率与晶粒的起始粒径成(),临界晶粒尺寸与第二相杂质的体积分数成()。
单项选择题 晶粒长大速率与温度和晶粒的曲率半径有关,温度越高,晶粒长大速率();曲率半径越大,晶粒长大速率()。
判断题 实际烧结中,几种传质过程可单独进行或几种同时进行,特定条件下是某种或几种机理起主导作用,条件改变时传质机理也随之发生变化。