单项选择题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。
A.NPN型低频小功率硅晶体管 B.NPN型高频小功率硅晶体管 C.PNP型低频小功率锗晶体管 D.NPN型低频大功率硅晶体管
单项选择题 某NPN型管电路中,测得UBE=0V,UBC=—5V,则可知管子工作于()状态。
填空题 场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。
填空题 某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10μA变化到20μA时,集电极电流从1mA变为1.99mA,则交流电流放大系数β约为()。