单项选择题
欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道,应使()。
A.UGS>UGS,offB.UGS>UGS,thC.UGS<UGS,offD.UGS<UGS,th
单项选择题 掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时,少子获得能量高速运动,在空间电荷区与原子发生碰撞电离,使()激增。
单项选择题 当反向电压增高时,少子获得能量高速运动,在空间电荷区与原子发生碰撞,产生碰撞电离使反向电流激增,形成连锁反应,属于()击穿。
单项选择题 差分放大电路中,射极电阻REE的主要作用是()。