填空题
用直拉法制备硅单晶时,用()插入熔体表面,待与熔体熔接完成后,慢慢向上提拉完成长晶过程。
籽晶
填空题 用直拉法制备硅单晶时,把()放入(),在硅单晶炉内进行熔化。
填空题 ()也叫切克劳斯基(Czochralsik)方法,此法早在1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法,后来经过很多人的改进,成为现在制备单晶硅的主要方法。
填空题 从熔体中生长单晶所用()法和()法,是当前生产硅单晶的主要方法。