问答题
如图所示,为P型半导体MIS结构形成的能带图。
判断其表面空间电荷层的状态(多子积累、少子耗尽、少子反型)
少子反型
问答题 画出对应的电荷分布图。
问答题 判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。
问答题 试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图,并标明半导体表面势VS的数值。