填空题
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。
施主;受主
单项选择题 砷化稼的能带结构是()能隙结构。
单项选择题 空穴是()。
填空题 受主杂质电离后向半导体提供(),施主杂质电离后向半导体提供(),本征激发向半导体提供()。