判断题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。

判断题 在近场区对缺陷定量，可以提高对缺陷定量的精度。

判断题 直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D2/4λ－L1C1/C2。