问答题
证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为
证明:对于非简并的非均匀半导体
问答题 光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1,样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。
问答题 间接复合效应与陷阱效应有何异同?
问答题 导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。