单项选择题
用金锑合金共晶粘片时，采用的温度为（）
A.350℃~360℃B.380℃~410℃C.410℃~440℃D.420℃~450℃
单项选择题 半导体的光照被消除的情况下，其中的载流子（）
单项选择题 大功率芯片烧结工艺中，保护气体最好采用（）
单项选择题 共晶粘片的主要缺点是（）
