问答题
简述边界层理论的成功之处。
（1）它提出了在氧化物上的化学吸附在许多情况下涉及到氧化物的缺陷，所以伴随着化学吸附，氧化物的半导性将按可以预言的方向变......
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问答题 简述晶体结构的缺陷，并说明它们产生的原因。
问答题 简述化学吸附的单层与物理吸附的单层的不同之处。
问答题 简述活性组分在载体上的分布情况。
