多项选择题
陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）
A.使整个样品加底光照 B.将硅单晶加热到50～70℃ C.加底光照后用氙灯闪光进行照射 D.将硅单晶加热到60～80℃
多项选择题 下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）
单项选择题 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）
多项选择题 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）
