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半导体物理

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室温下,本征锗的电阻率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s, 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

【参考答案】

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