单项选择题
一般MOS型集成电路的隔离是（）
A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔离D.自隔离
单项选择题 可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
单项选择题 芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
单项选择题 芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
