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半导体物理

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问答题

案例分析题对于室温下硅材料,假设载流子迁移率分别为μn=1350cm2/V·s,μp=5001350cm2/V·s,且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10-19C,本 征载流子浓度ni=1010cm-3,硅的原子密度为5×1022cm-3,Nc=Nv=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln200=5.3。

当在本征硅中掺入百万分之一的砷(As)后,设杂质全部电离,试计算电子浓度和空穴浓度。

【参考答案】

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问答题 试计算本征硅的电阻率。

判断题 金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。

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