问答题
锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量mn*=0.015m0, m0为电子的惯性质量,求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
问答题 举例说明杂质补偿作用。
问答题 以Ga掺入Ge中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。
问答题 以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。