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直拉单晶硅工艺学

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填空题

气相生长法()简单,污染少,单晶纯度较高,但是(),生长条件不易控制,生长的单晶质量较差。

【参考答案】

工艺流程;生长速度慢,周期长

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填空题 气相法生长单晶和用氢还原生长多晶相似。在适当温度下,()和氢气作用,在()上逐渐生长出单晶。

填空题 基座法是既像()又像()的一种拉制单晶方法,此方法用卡具将多晶棒下端卡住,高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区,由上方插入籽晶,将籽晶慢慢向上提起,生长出单晶。

填空题 片状单晶生长法(EFG法)将用()制成的有狭缝的模具浸在熔硅中,熔硅依靠()作用,沿狭缝升到模具表面和籽晶融合,用很快的速度拉出。

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