单项选择题
单晶硅的制绒工艺复杂,腐蚀时间为()
A.10~20min B.40~60mim C.3~5min
判断题 POCl3是无色透明无气味的无毒液体。
判断题 P型半导体样品,热端的空穴向冷端扩散,冷端带正电,热端带负电。
判断题 P+n硅太阳电池,常用磷或砷作掺杂元素。