单项选择题
关于PN结半导体探测器，下列说法正确的是（）。
A.结区的电场为均匀电场B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关C.结区电容与外加电压无关D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加
单项选择题 关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是（）。
单项选择题 下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键？（）
单项选择题 掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的？（）
