单项选择题
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小 B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响 C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响； E．除A以外都对
单项选择题 工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场（）
单项选择题 下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
单项选择题 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
