判断题
高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10~20μs。
错误
判断题 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。
判断题 测量半导体硅单晶导电类型时,通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。
判断题 当半导体内注入了非平衡载流子后,一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心,另一方面依靠表面能级作为复合中心。