单项选择题
耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。
A、UGS>UT B、UGS<UT C、UGS=0 D、UGS<UP
单项选择题 场效应管栅极用()表示。
单项选择题 下面说法错误的是:场效应管()。
单项选择题 晶体三极管工作在饱和区域时的特点()。