单项选择题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
单项选择题 硅导带结构为（）。
单项选择题 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
单项选择题 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
