多项选择题
对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）
A.LED光谱较窄B.激光器发射功率较低C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱D.LED没有谐振腔而激光器有
多项选择题 下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）
多项选择题 从下面选出产生单电子效应的两个必备条件：（）
多项选择题 关于自组装，下列哪种说法正确？（）
