问答题
一个有杂质补偿的硅半导体，已知掺入的受主浓度设室温下费米能级恰好与施主能级重合，电子浓度。
求出平衡少子浓度。
问答题 试用一维非均匀掺杂（掺杂浓度随x的增加而下降）的非简并p型半导体模型导出爱因斯坦关系：
问答题 求出导带底的电子跃迁到价带顶时准动量的改变量，能量的改变量。
问答题 求出导带底电子的有效质量和价带顶空穴的有效质量。
设室温下费米能级恰好与施主能级
重合，电子浓度
。