单项选择题
漩涡缺陷是晶体中()的局部聚集。
A.线缺陷 B.微缺陷 C.面缺陷 D.点缺陷
单项选择题 位错密度通常采用()来表示,可在金相显微镜下测定。
单项选择题 三探针法属于利用半导体的()来测量导电类型的方法。
单项选择题 目前国内外广泛采用()测量半导体硅单晶电阻率。