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单项选择题
耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。
A、UGS＞UT
B、UGS＜UT
C、UGS=0
D、UGS＜UP -
单项选择题
场效应管栅极用（）表示。
A、C
B、G
C、S
D、D -
单项选择题
下面说法错误的是：场效应管（）。
A、也称为双极型晶体管
B、也称为单极型晶体管
C、的载流子只通过一种极性的半导体
D、是利用多数载流子导电的器件
