单项选择题
材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率Vb与气孔移动速率Vp，当（）时，晶粒正常长大。
A.Vb=Vp
B.Vb>Vp
C.Vb< Vp
D.二者没有关系
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多项选择题
提高物料烧结活性的途径有（）。
A.提高物料粒度
B.降低物料粒度
C.采用不同形式的母盐及热分解条件来制备活性氧化物
D.以上措施皆可 -
单项选择题
物料粒度越大，烧结速率（）；提高烧结温度、延长烧结时间、提高成型压力一般会（）烧结。
A.越快；促进
B.越快；阻碍
C.越慢；促进
D.越慢；阻碍 -
判断题
二次再结晶的过程中存在晶核，界面处有应力存在，气孔维持在晶界上或晶界交汇处。
