用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器。要求：
（1）计算所需芯片数，并画出该存储器的逻辑框图。
（2）若采用异步刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少读写周期？