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单项选择题
关于共振隧穿器件下列哪种说法正确（）
A.器件是基于量子隧穿效应工作
B.器件功耗较高
C.器件为量子点结构
D.器件速度较低 -
单项选择题
采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔（）
A. 减薄禁带窄材料的厚度 B. 减薄禁带宽材料的厚度 C. 增厚禁带窄材料的厚度 D. 增厚禁带宽材料的厚度
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单项选择题
被高能入射电子轰击出来的样品核外电子，被称之为（）
A.特征X射线
B.背散射电子
C.透射电子
D.次级电子
