相关考题
-
单项选择题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。
A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管 -
单项选择题
某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=—5V，则可知管子工作于（）状态。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定 -
填空题
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
