单项选择题
下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
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单项选择题
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
E．除A以外都对 -
单项选择题
工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场（）
A、与磁化电流的大小无关
B、与磁化电流的大小有关
C、当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时，漏磁场最大
D、与工件的材料性质无关 -
单项选择题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
A．缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大
B．漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C．漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关
D．工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
