单项选择题
PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。
A.空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动
B.空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动
C.空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动
D.空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
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单项选择题
当PN结外加正向电压时，（）增加，耗尽层变窄。
A.中和电流
B.扩散电流
C.漂移电流
D.正弦电流 -
单项选择题
P型半导体中多数载流子是（）。
A.正离子
B.负离子
C.自由电子
D.空穴 -
单项选择题
本征半导体在热力学温度T=0K，且无其它外界影响的情况下，其导电能力与（）一样。
A.导体
B.绝缘体
C.P型半导体
D.N型半导体
