单项选择题
在成核生长型相变过程中，在一定范围内，随着过冷度增加，成核位垒∆G*（），晶核形成越（）。
A.增加；容易
B.下降；困难
C.增加；困难
D.下降；容易
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单项选择题
晶核的界面能γLS（）和相变热∆H（），均有利于晶核形成。
A.增加；降低
B.增加；增加
C.降低；增加
D.降低；降低 -
多项选择题
相变过程的推动力可表示为（）的函数。
A.过冷度
B.过热度
C.过饱和蒸汽压
D.过饱和浓度 -
单项选择题
对于吸热的相变过程，系统实际相变温度应比理论相变温度（），相变才能自发进行。
A.低
B.高
C.相同
D.与温度无关
