问答题
计算题
已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV，求该LED在第一子能带态的发光波长。
【参考答案】
点击查看答案
相关考题
- 问答题 已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，计算在第一个电子的子能带态（n=1）和在第一个空穴子能带态（n=1）的偏移。
- 问答题 在AlGaN半导体材料中，Al的百分比是0.63，求其在常温27℃的峰值波长，并求出该发光材料光谱的半强度全宽△λ。
- 问答题 某直接带隙半导体材料的发光波长为550nm，求其在常温27℃时光谱的半强度全宽△λ。
- 问答题 已知InGaAsP的发光波长是1300nm，求该材料的禁带宽度Eg=？
- 问答题 已知GaAs半导体材料的Eg=1.424eV，求该材料的发光波长λ=？
- 问答题 能带与能级的区别是什么？
- 问答题 LED封装的主要功能有哪些？
- 问答题 LED有哪些主要优点？
- 问答题 第一只发光二极管是哪年有哪家公司发明的？
