欢迎来到求知题库网
求知题库官网
登录
注册
首页
计算机java工程师信产部认证考试
计算机网络设备调试员
计算机计算机软件水平考试
计算机通信工程师
计算机计算机辅助设计绘图员
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
集成电路技术
>
集成电路技术综合练习
搜题找答案
判断题
扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。
【参考答案】
正确
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。
判断题
氮化硅去除使用的是磷酸药液。
判断题
驻波效应破坏了光刻胶图形侧壁的垂直性,也导致光刻胶CD测量的不稳定。
微信扫一扫,加关注免费搜题
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题