多项选择题
关于GMR效应下列哪种说法正确？（）
A.非铁磁层必须是导体
B.它产生于铁磁/非铁磁/铁磁交替叠合而成的纳米多层膜结构
C.两铁磁层磁矩平行时电阻最大
D.两铁磁层磁矩反平行时电阻最大
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单项选择题
特征线宽为20nm时，光刻图形的分辨率是（）条/mm。
A.25000
B.24000
C.23000 -
多项选择题
关于自旋阀下列哪种说法正确？（）
A.自由层磁矩方向不受外磁场控制
B.多采用磁控溅射工艺制备
C.GMR磁头是自旋阀结构
D.是固定铁磁层/导电间隔层/自由铁磁层/反铁磁钉扎层多层膜 -
多项选择题
对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）
A.LED光谱较窄
B.激光器发射功率较低
C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱
D.LED没有谐振腔而激光器有
