多项选择题
影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）
A.电极电位 B.腐蚀液的成分 C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响 D.缓冲剂的影响
多项选择题 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）
多项选择题 下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）
单项选择题 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）
