问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量mn*=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

问答题 举例说明杂质补偿作用。

问答题 以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。