问答题 在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

问答题 设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×1015cm-3，计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

问答题 设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。