单项选择题
输入()时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号
单项选择题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。
单项选择题 某NPN型管电路中,测得UBE=0V,UBC=—5V,则可知管子工作于()状态。
填空题 场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。