单项选择题
下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大 B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱 D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
单项选择题 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
单项选择题 工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场（）
单项选择题 下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
