问答题
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增......
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问答题 试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
问答题 源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al/Mo，试分析上下层Mo的作用。
问答题 简述存储电容的作用。
