问答题
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al/Mo，试分析上下层Mo的作用。
问答题 简述存储电容的作用。
问答题 简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
