单项选择题
对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）
A. 杂质电离和电离杂质散射 B. 本征激发和晶格散射 C. 晶格散射 D. 本征激发
多项选择题 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（）电流
单项选择题 P型半导体发生强反型的条件（）
多项选择题 P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。
