单项选择题 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。

单项选择题 漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。

单项选择题 位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。