单项选择题
在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级()。
A. 在禁带中线处 B. 靠近导带底 C. 靠近价带顶 D. 以上都不是
填空题 在热力学温度零度时,能量比FF小的量子态被电子占据的概率为(),当温度大于热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为()。
填空题 将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。
单项选择题 砷化稼的能带结构是()能隙结构。