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半导体物理

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问答题

案例分析题对于室温下硅材料,假设载流子迁移率分别为μn=1350cm2/V·s,μp=5001350cm2/V·s,且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10-19C,本 征载流子浓度ni=1010cm-3,硅的原子密度为5×1022cm-3,Nc=Nv=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln200=5.3。

试计算问题(2)中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。

【参考答案】

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