单项选择题 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。

单项选择题 硅导带结构为（）。

单项选择题 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。