问答题
设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为：
价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
问答题 价带顶电子有效质量
问答题 导带底电子有效质量
问答题 已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？
