填空题 用直拉法制备硅单晶时，用（）插入熔体表面，待与熔体熔接完成后，慢慢向上提拉完成长晶过程。

填空题 用直拉法制备硅单晶时，把（）放入（），在硅单晶炉内进行熔化。

填空题 （）也叫切克劳斯基（Czochralsik）方法，此法早在1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法，后来经过很多人的改进，成为现在制备单晶硅的主要方法。